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时间: 2020年07月07日 16:55 | 来源: 凌乱美 | 编辑: 硕广平 | 阅读: 7342 次

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摩尔定律再获续命丹?三维芯片研制获得打破

OFweek电子工程网讯 这些年因为各项智能设备以及人工智能的使用,大家对芯片核算才能的需求越来越大。芯片的运算才能取决于根本运算单元电晶体的多寡,但因为电晶体的研制已逐渐挨近物理极限,无法再持续减小,因而科学家及各个科技大厂正在不断研讨下个能使芯片运算速度提高的办法。

其间一个半导体工业在寻求的新式技能即是三维芯片,三维芯片使用高度的堆叠来结合不一样的芯片,能够更有用使用空间、放入更多元件,添加运算速度。

研讨人员:新技能远景可期

麻省理工学院的研讨员近期使用纳米碳管和电阻式存储器(RRAM)开展出新的三维芯片制造办法,现在已发布在期刊《Nature》上。有别于传统以矽为根底的芯片,这次芯片为纳米碳管及 RRAM 构成,因为纳米碳管电路及 RRAM 制造时只需摄氏 200 度,因而处理了传统硅晶片制程时需求超越摄氏 1 千度高温,会损坏三维芯片多层次构造的疑问。

此外,纳米碳管和 RRAM 的能源消耗功率也比传统芯片元件佳。

该团队表明下一步将会与半导体公司合作开发新版本的三维芯片,把感测功用及材料处理功用也参加单一芯片中。有专家表明,这项创造也许会是连续摩尔定律的重要关键,尽管也许还需求很长时刻的研讨,不过远景可让人等待的。

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(硕广平编辑《凌乱美》2020年07月07日 16:55 )

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